SDRAM - LPDDR4X DRAM

結果: 59
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Winbond DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C
規格書
128庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 8G, 256M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
規格書
589庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
128庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
48庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
44庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
6庫存量
120預期2026/10/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 32Gb, 1G X 32, 0.6v, 200ball TFBGA, 2133MHZ,industrial Temp
規格書
164庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
規格書
62庫存量
120預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
3庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, Industrial Temp
規格書
43庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 2.133 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C W66BM6NB
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C 105C
規格書
53庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
239在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 136
倍數： 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel