8 bit DRAM

結果: 383
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
規格書
205庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
規格書
10,454庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial
規格書
178庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
規格書
1,009庫存量
9,600預期2026/8/21
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
2,584庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
5,005庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
規格書
156庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
553庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
1,342庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
2,347庫存量
14,400預期2026/7/21
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
規格書
3,654庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
4,252庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
844庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
332庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray
規格書
351庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 128 M x 8 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
規格書
9,879庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C32M8SA Tray
Micron DRAM DDR4 8Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT
產品評論
1,260庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 13.75 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Micron DRAM DDR2 2Gbit 8 60/99 FBGA 1 CT
規格書
產品評論
4,056庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C MT47H Tray
Micron DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT
規格書
產品評論
2,091庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FBGA-78 512 M x 8 13.09 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C MT41K Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V
規格書
4,799庫存量
1在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C W956A8MBYA Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
98庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
123庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
94庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
88庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
92庫存量
900在途量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C