LMG341xR050 GaN功率級

Texas Instruments LMG341xR050 GaN功率級具有整合式驅動器和保護功能，可讓設計人員能夠在電力電子系統中實現更高功率密度和效率。與Si MOSFET相比，LMG341x’s的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低高達80%）以及低開關節點振鈴（降低EMI ）。這些優勢可實現高密度、高效拓撲結構，例如推拉輸出電路PFC。