SRAM

結果: 11,643
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
資格
封裝
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
規格書
441預期2026/11/26
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
規格書
992庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
規格書
401在途量
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
規格書
1,377預期2026/11/2
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
規格書
196預期2026/11/13
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
36預期2026/8/12
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
規格書
18庫存量
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
規格書
14預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
規格書
42預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
5,400在途量
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
14,158在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
429庫存量
最少： 1
倍數： 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
規格書
41預期2026/9/11
最少： 1
倍數： 1
否
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
規格書
40預期2026/12/21
最少： 1
倍數： 1
否
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1461KV33-133AXI
Infineon Technologies SRAM No Bus Latency(NoBL) Burst SRAM
規格書
72預期2026/9/17
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C4142KV13-933FCXI
Infineon Technologies SRAM SYNC
規格書
39預期2026/12/24
最少： 1
倍數： 1

85 ps 4 A Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2027/1/18
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
規格書
84在途量
最少： 1
倍數： 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
規格書
269預期2026/12/28
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
規格書
43庫存量
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
規格書
41預期2026/9/11
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
3預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns
規格書
3,840在途量
最少： 1
倍數： 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
1,930在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape