Infineon Technologies CoolGaN™氮化鎵HEMT
Infineon CoolGaN™氮化鎵HEMT相比矽提供卓越優勢，包括終極效率、可靠性、功率密度和最高品質。CoolGaN晶體管採用最可靠技術製造，設計用於為開關模式電源提供最高效率和功率密度。該裝置與傳統矽MOSFET原理相似，透過p-GaN閘極結構實現增強模式閘極驅動偏置。
Infineon CoolGaN的特性非常適合硬切換與軟切換拓撲。CoolGaN可為PFC調整更簡單的半橋拓撲，包括消除有損輸入橋式整流器。CoolGaN HEMT為功率半導體裝置提供更高的臨界電場，實現優異的高速切換。
特點
- 600V功率裝置品質因數
- 非常適合硬切換與軟切換拓撲
- 功率密度可提升三倍
- 針對開啟與關閉進行最佳化
- 全新拓撲與電流調變
- 快速（接近零損耗）的切換
- 最高的功率密度可提供小型輕量化設計
- 可實現創新解決方案與大量生產的技術
- 極低的RDS(on) 與極高的降低成本潛力
- SMPS的最高效率
- 零反向恢復充電
- 相較於Si技術：
- 高10倍的崩潰電場及高2倍的移動性
- 低10倍的輸出電荷
- 低10倍的閘極電荷與線性的Coss特性
- 表面黏著封裝可確保完全發揮GaN的切換能力
- 易用性及吸引人的驅動器IC產品組合
應用
- 伺服器
- 電信
- 超大規模資料中心
- 無線充電
- SMPS（交換式電源供應器）
- 配接器與充電器
影片
FB圖騰柱電路說明圖
成功的四大支柱
資質認證說明圖
SMPS說明圖
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發佈日期: 2018-10-26
| 更新日期: 2024-05-07