ISSI LPDDR4和LPDDR4X Mobile SDRAM

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是低壓記憶體裝置,提供2Gb、4Gb和8Gb密度。這些裝置具有低壓內核和I/O功率要求,因此非常適合用於流動應用。LPDDR4和LPDDR4X SDRAM的時鐘頻率範圍為10MHz至1600MHz,每個I/O的資料速率高達3200Mbps。這些裝置為每個通道配置8個可同時運行的內部儲蓄位。LPDDR4和LPDDR4X均具有可程式以及「即時」突發長度的可程式讀取和寫入延遲。

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM採用雙倍數據傳輸率架構,可實現高速運作。雙倍數據傳輸率架構是一種16n預取架構,設有一個介面,設計用於在I/O引腳上每時鐘週期傳輸兩個資料字。這些裝置以時鐘上升沿和下降沿為基準,提供完全同步的操作。這些資料路徑在內部被設計為流水線的形式,預取16n位元,以實現極高頻寬。

特點

  • 低壓電源
    • LPDDR4: 1.8V
    • LPDDR4X: 1.1V
  • 低壓I/O
    • LPDDR4: 1.1V
    • LPDDR4X: 0.6V
  • 10MHz至1600MHz頻率範圍
  • 20Mbps至3200Mbps每I/O資料速率
  • 16n位元預取DDR架構
  • 每通道8個內部儲蓄位,用於平行作業
  • 多路復用、雙倍數據速率、指令/地址輸入
  • 適用於較低功耗的流動功能
  • 可程式讀取和寫入延遲
  • 可程式及即時突發長度(BL = 16或32)
  • 實現高效自刷新控制的片上溫度感測器
  • ZQ校準
  • 可調節驅動強度
  • 部分陣列自我刷新(PASR)
  • 10mm x 14.5mm BGA-200封裝

應用

  • 流動計算
  • 平板電腦
發佈日期: 2020-07-14 | 更新日期: 2025-12-17