ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM採用雙倍數據傳輸率架構,可實現高速運作。雙倍數據傳輸率架構是一種16n預取架構,設有一個介面,設計用於在I/O引腳上每時鐘週期傳輸兩個資料字。這些裝置以時鐘上升沿和下降沿為基準,提供完全同步的操作。這些資料路徑在內部被設計為流水線的形式,預取16n位元,以實現極高頻寬。
特點
- 低壓電源
- LPDDR4: 1.8V
- LPDDR4X: 1.1V
- 低壓I/O
- LPDDR4: 1.1V
- LPDDR4X: 0.6V
- 10MHz至1600MHz頻率範圍
- 20Mbps至3200Mbps每I/O資料速率
- 16n位元預取DDR架構
- 每通道8個內部儲蓄位,用於平行作業
- 多路復用、雙倍數據速率、指令/地址輸入
- 適用於較低功耗的流動功能
- 可程式讀取和寫入延遲
- 可程式及即時突發長度(BL = 16或32)
- 實現高效自刷新控制的片上溫度感測器
- ZQ校準
- 可調節驅動強度
- 部分陣列自我刷新(PASR)
- 10mm x 14.5mm BGA-200封裝
應用
- 流動計算
- 平板電腦
發佈日期: 2020-07-14
| 更新日期: 2025-12-17

