特點
- SiC MOSFET技術
- 1200V,30mΩ低導通電阻RDS(on)
- 79A (ID) 漏極電流
- 高阻斷電壓,低導通電阻
- 高速開關,低電容
- 175°C最大虛擬結溫
- 超快速本徵體二極體
- 開爾文源極觸點
- MSL-1評級
- 符合RoHS規定
應用
- 太陽能逆變器
- 開關模式電源供應器
- UPS
- 馬達驅動器
- DC/DC轉換器
- 電動車充電基礎設施
- 感應加熱
尺寸圖 (TO-247-4L)
發佈日期: 2025-02-14
| 更新日期: 2025-02-18
臺灣|
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