IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET是一款工業級單開關SiC MOSFET,具有功率循環切換極快、損耗低的良好特性。此MOSFET設計具有超快速本徵體二極體,具有175°C的最高虛擬結溫。IXSH80N120L2KHV MOSFET具備高阻斷電壓與低導通電阻,並能實現低電容的高速切換。IXSH80N120L2KHV MOSFET用於開關模式電源供應器、太陽能逆變器、UPS、馬達驅動器、DC/DC轉換器,以及電動車充電基礎設施和感應加熱應用。

特點

  • SiC MOSFET技術
  • 1200V,30mΩ低導通電阻RDS(on)
  • 79A (ID) 漏極電流
  • 高阻斷電壓,低導通電阻
  • 高速開關,低電容
  • 175°C最大虛擬結溫
  • 超快速本徵體二極體
  • 開爾文源極觸點
  • MSL-1評級
  • 符合RoHS規定

應用

  • 太陽能逆變器
  • 開關模式電源供應器
  • UPS
  • 馬達驅動器
  • DC/DC轉換器
  • 電動車充電基礎設施
  • 感應加熱

尺寸圖 (TO-247-4L)

機械製圖 - IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
發佈日期: 2025-02-14 | 更新日期: 2025-02-18