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Micron RLDRAM記憶體

Micron RLDRAM記憶體為具備高效能、高密度的解決方案，適用於類似SRAM高速隨機存取。此裝置可穩定維持高頻寬運作，速度超越最先進的DDR3。RLDRAM採用創新的電路設計，可將從存取週期開始到立即取得第一筆資料之間的時間縮到最短，因此RLDRAM適合用於10GbE、40GbE和100GbE的封裝緩衝與檢查。RLDRAM由多種FPGA和網路處理器解決方案提供支援。

特點

  • High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
  • Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
  • Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available

應用

  • 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
  • FPGAs
  • Network processor solutions

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Micron RLDRAM記憶體

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發佈日期: 2018-07-24 | 更新日期: 2023-03-03