Qorvo QPD0005M RF JFET電晶體
Qorvo QPD0005M RF JFET電晶體是採用塑膠包覆成型DFN封裝的單路徑獨立式GaN on SiC HEMT。電晶體作業範圍為2.5至5.0 GHz。裝置為單級、未匹配的電晶體，能在+48V下作業時提供5.9W的PSAT。
特點
- 作業頻率範圍為2.5至5.0 GHz
- 作業汲極電壓為+48V
- 3.6 GHz時的最大輸出功率 (PSAT)：37.7 dBm
- 3.6 GHz時的最大汲極效率：74.1%
- 3.6 GHz時的效率調整P3dB增益：18.6 dB
- 4.5 mm x 4.0 mm DFN封裝
應用
- WCDMA/LTE
- 巨細胞基地台
- 微型基地台
- 小型基地台
- 主動式天線
- 5G巨量MIMO
- 一般用途應用
發佈日期: 2021-10-25
| 更新日期: 2022-03-25