Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P通道MOSFET

Vishay Siliconix SiA429DJT 20V P通道TrenchFET®功率MOSFET在業界中為少於0.8mm厚度的P通道設備提供最低的導通電阻，也為所有2mm x 2mm P通道設備提供最低的導通電阻。Vishay Siliconix SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET有一個熱增強PowerPAK® SC-70的超薄封裝，厚度只有0.6mm。SiA429DJT適用於DC／DC轉換器，以及負載和充電器開關。SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET的導通電阻於1.8V時比最近似的競爭設備低12%，包括一般0.8 mm厚度的MOSFET。較低的導通電阻可以降低導電損失。