Toshiba TRSx SiC蕭特基能障二極體
Toshiba TRSx SiC蕭特基能障二極體採用第三代晶片設計，其反向重複峰值電壓 (VRRM) 額定值為1200V。TRS30N120HB的正向DC電流額定電流 [IF(DC)] 為每腳位15A或雙腳位30A，TRS40N120HB則為每腳位20A或雙腳位40A。這些裝置採用標準TO-247封裝。Toshiba TRSx SiC蕭特基能障二極體適用於功率因數校正、太陽能逆變器、不間斷電源和DC-DC轉換器應用。
特點
- 第三代晶片設計
- 反向峰值電壓 (VRRM)：1200V
- 正向DC電流 [IF(DC)]
- TRS30N120HB：每腳位15A或雙腳位30A，TC = +150°C
- TRS40N120HB: 每腳位20A或雙腳位40A，TC = +147°C
- 每引腳具有低 1.27V (典型值) 正向電壓 (VF)
- 總電容電荷 (Qc) 低
- TRS30N120HB：每腳位80nC（典型值）
- TRS40N120HB：每腳位108nC（典型值）
- 反向電流 (IR) 低
- TRS30N120HB：每腳位1.4µA（典型值）
- TRS40N120HB：每腳位1.8µA（典型值）
應用
- 功率因數校正 (PFC)
- 光伏逆變器
- 不間斷電源 (UPS)
- DC/DC轉換器
封裝和內部電路
發佈日期: 2025-03-26
| 更新日期: 2025-08-02