Vishay Semiconductors SiC肖特基功率二極體
Vishay Semiconductors 碳化矽 (SiC) 肖特基功率二極體是先進的高性能整流器，專為在嚴苛的電力電子應用中提供卓越的效率、堅固性及可靠性而設計。基於寬禁帶SiC技術，這些Vishay二極體具備近乎為零的逆向恢復電荷、極快的切換能力以及不受溫度影響的性能，使其成為新一代高頻電力轉換系統的理想選擇。
這些裝置支援最高達+175°C的高工作接面溫度，可確保其在工業、汽車和再生能源系統等嚴苛的熱環境中穩定運作。正向電壓的正溫度係數允許輕鬆並聯，改善了大電流設計的擴展性和熱平衡。
Vishay SiC肖特基二極體專為耐用性而設計，具備低漏電流、高浪湧電流承受能力，以及極低的切換損耗和導通損耗。這些特性可大幅提升AC/DC功率因素校正 (PFC) 級、高頻整流器、LLC諧振轉換器、DC/DC轉換器、UPS系統、電訊基礎設施、伺服器電源和太陽能變流器平台的效率。
這些二極體提供多種電流額定值，從4A到最高200A，並具備約650V的反向耐壓能力，可靈活用於各類功率級。D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 封裝可無縫整合至小尺寸外型設計或高功率工業組件中。
在整個產品系列中，Vishay強調長期可靠性，提供符合AEC-Q101標準的型號、符合RoHS標準的結構、無鹵素材料，以及UL認證的模組選項。這些特性使此類二極體非常適合用於需要長使用壽命、熱穩定性和卓越效率的關鍵任務應用。
特點
- 正向電壓 (VF) 具有正溫度係數，便於並聯
- 幾乎無恢復尾流，且無切換損耗
- 不受溫度影響的切換特性
- 單一電路配置
- 低洩漏電流
- 堅固耐用，具備高浪湧承受能力
- 低接面電容
- 快速、穩定的反向恢復
- 最高工作接面溫度：+175°C
- 符合AEC-Q101標準，滿足JESD 201 2級晶鬚測試的要求 (P/NHM3)
- 滿足JESD 201 1A級晶鬚測試的要求（非車規）
- 滿足J-STD-020規定的濕度靈敏度 (MSL) 1標準，無鉛 (LF) 最高峰值溫度為+245°C
- D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 封裝
- 無鉛、無鹵素，符合RoHS標準
應用
- 功率因數校正 (PFC) 電路
- 高頻整流
- LLC諧振轉換器
- DC/DC轉換器
- 太陽能變流器系統
- 不斷電電源 (UPS) 系統
- 電信電源設備
- 伺服器電源
- 受矽超快速恢復特性影響的應用
規格
- 反向電壓選項：650V或1200V
- 反向電流範圍：35µA至550µA
- 正向電壓範圍：1.3V至1.36V
- 正向浪湧電流範圍：39A至180A
- 正向電流範圍：6A至30A
- 功率耗散範圍：59W至375W
- 操作溫度範圍：-55°C至+175°C
- 霧面錫鍍引線，可焊性符合J-STD-002和JESD 22-B102標準
示意圖
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| 零件編號 | 規格書 | If - 順向電流 | Ir - 反向電流 | Pd - 功率消耗 | Vf - 順向電壓 | Vr - 反向電壓 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-4C20CP07LHM3 |  |
10 A | 50 uA | 101 W | 1.3 V | 650 V |
| VS-4C06ET07S2LHM3 | |
6 A | 35 uA | 59 W | 1.3 V | 650 V |
| VS-4C20ET07S2L-M3 | |
20 A | 110 uA | 125 W | 1.33 V | 650 V |
| VS-4C06ET07S2L-M3 | |
6 A | 35 uA | 59 W | 1.3 V | 650 V |
| VS-4C20CP07L-M3 | |
10 A | 50 uA | 101 W | 1.3 V | 650 V |
| VS-4C20ET07S2LHM3 | |
20 A | 110 uA | 125 W | 1.33 V | 650 V |
| VS-4C20ET07T-M3 | |
20 A | 110 uA | 125 W | 1.33 V | 650 V |
| VS-4C20ET07THM3 | |
20 A | 110 uA | 125 W | 1.33 V | 650 V |
| VS-4C30E3P07L-M3 | |
30 A | 125 uA | 273 W | 1,33 V | 650 V |
| VS-4C30ET07S2L-M3 | |
30 A | 125 uA | 167 W | 1.33 V | 650 V |
發佈日期: 2026-01-30
| 更新日期: 2026-05-12