Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

結果: 16
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/3/6
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/3/6
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
780預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 SiCG4D2PAK2L
規格書
800預期2026/4/14
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3