Winbond 適用於5G的W25Q512NW SPI NOR快閃記憶體
Winbond適用於5G的W25Q512NW SPI NOR快閃記憶體提供統一4KB扇區和雙/四路SPI輸入。此外，Winbond W25Q512NW快閃記憶體具有引腳至引腳相容性，可實現16Mbits至2Gbits的代碼儲存快閃記憶體，而不會變更不同硬體平台的空間。
Winbond W25Q512NW 512M位元串聯快閃記憶體以高讀取速度支援高達166MHz SDR和80MHz DDR，並可在XIP（執行中）和具有QPI的即時啟動上實現高性能。此外，W25Q512NW提供具有堆疊1Gb和2Gb的靈活性，可將密度擴展至2Gb並可實現更出色的讀取和寫入性能。
W25Q512NW設計用於5G數據機、5G邊緣運算、雲端伺服器、光纖數據機和智能物聯網區段，它們的代碼儲存快閃記憶體密度通常每兩年增加2倍。
特點
- 4 I/O固定
- 溫度範圍：-40°C至+85°C
- 1.65V至1.95V Vcc
- 133MHz頻率
- 3或4位元定址模式
- UID和OTP功能
- 揮發性和非揮發性SR
- 單獨區塊/扇區寫入保護
- SOIC16300mil、WSON8 8mm x 6mm、TFBGA24 6mm x 8mm (5 x 5矩陣)封裝
應用
- 5G數據機
- 5G邊緣運算
- 雲端伺服器
- 光纖數據機
- 智能物聯網區段
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結構圖
發佈日期: 2021-06-24
| 更新日期: 2026-01-15