Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級整合了閘極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。93V連續電壓、100V脈衝電壓、53A的半橋功率級包含兩個氮化鎵場效應電晶體，由半橋配置中的一個高頻氮化鎵場效應電晶體驅動器驅動。驅動器與兩個GaN FET安裝在完全無接線封裝平台上，並將封裝寄生元件降至最低。

TI LMG2100R026功率級採用7.0mm x 4.5mm x 0.89mm無鉛封裝，可輕鬆地安裝在PCB上。TTL邏輯相容輸入可支援3.3V和5V邏輯電平，不論V_CC電壓為何。專有的自啟動電壓箝位技術可保證增強模式GaN FET的閘極電壓在安全工作範圍內。該器件擴展了分立式GaN FET的優點，允許更友好的用戶介面。對於需要在小尺寸內進行高頻、高效率操作的應用，該器件是理想的解決方案。