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Toshiba DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET提供低漏極導通電阻（RDS(ON)= 0.033Ω（典型值））。這些裝置擁有650V漏源電壓和57A漏極電流。DTMOSVI系列MOSFET提供具有更低電容的高速切換屬性。這些MOSFET理想適用於開關電源應用。

規格

  • 漏極電壓(VDSS)：650V
  • 閘極源極電壓(VGSS)：±30
  • Tc時漏源電流(DC) (ID) = 25°C: 57A
  • 漏極電流（脈衝）(IDP) 228A
  • 功率損耗(PD)：360W
  • VGS時漏源導通電阻(RDS(ON)) = 10V、ID = 28.5A: 0.033Ω（典型值）
  • VGS時閘極電壓(Vth) = 10V、ID = 2.85mA: 3V（最小）/ 4V（最大）
  • 輸入電容(CISS)：6250pF
  • VDD 時總閘極電荷(Qg) = 400V、VGS = 10V、ID = 57A: 105nC

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圖表

機械製圖 - Toshiba DTMOSVI MOSFET

產品選擇器指引

應用說明

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發佈日期: 2018-08-22 | 更新日期: 2024-03-12