|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$540.26
-
1,920庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R020M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,920庫存量
|
|
|
NT$540.26
|
|
|
NT$315.84
|
|
|
NT$298.63
|
|
|
NT$298.63
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
440 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R010M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$885.14
-
256庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R010M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
256庫存量
|
|
|
NT$885.14
|
|
|
NT$595.11
|
|
|
NT$594.39
|
|
|
NT$563.20
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
158 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
112 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
535 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$504.05
-
738庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R026M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
738庫存量
|
|
|
NT$504.05
|
|
|
NT$288.59
|
|
|
NT$273.18
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
33 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
263 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$466.41
-
280庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R033M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
280庫存量
|
|
|
NT$466.41
|
|
|
NT$279.99
|
|
|
NT$273.89
|
|
|
NT$257.40
|
|
|
NT$226.93
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
58 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R060M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$287.88
-
416庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R060M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
416庫存量
|
|
|
NT$287.88
|
|
|
NT$159.53
|
|
|
NT$155.59
|
|
|
NT$148.78
|
|
|
NT$130.49
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
34.9 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
148 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$261.35
-
788庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R075M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
788庫存量
|
|
|
NT$261.35
|
|
|
NT$176.38
|
|
|
NT$127.98
|
|
|
NT$121.53
|
|
|
NT$115.08
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
|
+ 175 C
|
124 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R015M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$684.38
-
901庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R015M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
901庫存量
|
|
|
NT$684.38
|
|
|
NT$428.41
|
|
|
NT$420.16
|
|
|
NT$405.46
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
94 A
|
18 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
79 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
499 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$591.88
-
489庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R020M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
489庫存量
|
|
|
NT$591.88
|
|
|
NT$355.63
|
|
|
NT$336.27
|
|
|
NT$336.27
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
97 A
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
394 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$408.33
-
909庫存量
-
1,800預期2026/12/10
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMLT65R033M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
909庫存量
1,800預期2026/12/10
|
|
|
NT$408.33
|
|
|
NT$228.36
|
|
|
NT$219.40
|
|
|
NT$207.57
|
|
|
NT$207.57
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
312 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$234.82
-
826庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMLT65R075M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
826庫存量
|
|
|
NT$234.82
|
|
|
NT$124.40
|
|
|
NT$113.64
|
|
|
NT$99.66
|
|
|
NT$99.66
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
1 Channel
|
650 V
|
34.7 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
187 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$857.53
-
535庫存量
-
2,000預期2026/12/24
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R010M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
535庫存量
2,000預期2026/12/24
|
|
|
NT$857.53
|
|
|
NT$571.45
|
|
|
NT$540.98
|
|
|
NT$540.98
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
168 A
|
13.1 mOhms
|
- 7V, + 23 V
|
4.5 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
681 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R033M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$417.65
-
1,792庫存量
-
2,000預期2027/8/5
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R033M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,792庫存量
2,000預期2027/8/5
|
|
|
NT$417.65
|
|
|
NT$233.74
|
|
|
NT$225.86
|
|
|
NT$213.67
|
|
|
NT$213.67
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R060M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$264.21
-
858庫存量
-
2,000預期2026/9/2
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R060M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
858庫存量
2,000預期2026/9/2
|
|
|
NT$264.21
|
|
|
NT$178.53
|
|
|
NT$129.78
|
|
|
NT$123.32
|
|
|
NT$115.44
|
|
|
NT$115.44
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
41.4 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R075M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$239.84
-
911庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R075M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
911庫存量
|
|
|
NT$239.84
|
|
|
NT$127.63
|
|
|
NT$116.51
|
|
|
NT$102.53
|
|
|
NT$102.53
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
TOLL-8
|
|
650 V
|
|
75 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMTA65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$446.33
-
1,968庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R026M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
1,968庫存量
|
|
|
NT$446.33
|
|
|
NT$302.57
|
|
|
NT$277.12
|
|
|
NT$247.01
|
|
|
NT$233.74
|
|
|
NT$233.74
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
79 A
|
33 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
- IMTA65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$388.26
-
1,658庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R033M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
|
|
1,658庫存量
|
|
|
NT$388.26
|
|
|
NT$215.82
|
|
|
NT$205.06
|
|
|
NT$193.95
|
|
|
NT$193.95
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
315 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$923.85
-
221庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMW65R010M2HXKSA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
221庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
130 A
|
13.1 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
112 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
440 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$534.17
-
538庫存量
-
240預期2026/9/28
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMW65R026M2HXKSA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
538庫存量
240預期2026/9/28
|
|
|
NT$534.17
|
|
|
NT$300.42
|
|
|
NT$294.33
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
64 A
|
33 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMW65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$323.37
-
962庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMW65R060M2HXKSA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
962庫存量
|
|
|
NT$323.37
|
|
|
NT$188.93
|
|
|
NT$159.17
|
|
|
NT$158.82
|
|
|
NT$150.57
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
32.8 A
|
73 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.6 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
130 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R075M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$301.50
-
486庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMW65R075M2HXKSA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
486庫存量
|
|
|
NT$301.50
|
|
|
NT$162.40
|
|
|
NT$149.49
|
|
|
NT$129.06
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
26.6 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
111 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$523.05
-
10,336庫存量
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R020M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
10,336庫存量
|
|
|
NT$523.05
|
|
|
NT$302.93
|
|
|
NT$286.44
|
|
|
NT$286.44
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
|
|
20 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$1,255.83
-
994庫存量
|
Mouser 元件編號
726-IMZA65R007M2HXKS
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
994庫存量
|
|
|
NT$1,255.83
|
|
|
NT$863.99
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
210 A
|
8.5 mOhms
|
- 18 V, + 18 V
|
5.6 V
|
439 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
625 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$938.19
-
9庫存量
-
3,000在途量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R010M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
9庫存量
3,000在途量
在途量:
750 預期2027/7/8
750 預期2027/8/12
750 預期2027/8/16
750 預期2027/8/19
|
|
|
NT$938.19
|
|
|
NT$677.57
|
|
|
NT$623.43
|
|
|
NT$582.20
|
|
|
NT$582.20
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
154 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
651 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R026M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$510.15
-
21庫存量
-
2,000預期2027/7/15
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R026M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
21庫存量
2,000預期2027/7/15
|
|
|
NT$510.15
|
|
|
NT$331.97
|
|
|
NT$290.39
|
|
|
NT$271.74
|
|
|
NT$257.04
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
81 A
|
33 mOhms
|
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
365 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R050M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$314.40
-
39庫存量
-
4,000預期2027/4/1
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R050M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
39庫存量
4,000預期2027/4/1
|
|
|
NT$314.40
|
|
|
NT$193.23
|
|
|
NT$164.55
|
|
|
NT$152.00
|
|
|
NT$136.23
|
|
|
NT$136.23
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
48.1 A
|
62 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
237 W
|
Enhancement
|
|
|
