|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R007M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$1,225.71
-
1,490庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R007M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,490庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
196 A
|
8.5 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
179 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
937 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$540.26
-
1,740庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R020M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,740庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
440 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R033M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$417.65
-
4,051庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R033M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
4,051庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R010M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$885.14
-
1,156庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R010M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
1,156庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
158 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
112 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
535 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$504.05
-
708庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R026M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
708庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
68 A
|
33 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
263 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$466.41
-
280庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R033M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
280庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
58 A
|
41 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
- IMBG65R060M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$299.35
-
416庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R060M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
|
|
416庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
34.9 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
148 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$261.35
-
788庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R075M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
788庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
|
+ 175 C
|
124 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R015M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$684.38
-
13庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R015M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
13庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
94 A
|
18 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
79 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
499 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R020M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$591.88
-
469庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R020M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
469庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
97 A
|
24 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
394 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$234.82
-
804庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMLT65R075M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
804庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
1 Channel
|
650 V
|
34.7 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
187 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$857.53
-
335庫存量
-
2,000預期2027/1/28
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R010M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335庫存量
2,000預期2027/1/28
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
168 A
|
13.1 mOhms
|
- 7V, + 23 V
|
4.5 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
681 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R060M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$264.21
-
2,848庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R060M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2,848庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
41.4 A
|
73 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R075M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$239.84
-
685庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R075M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
685庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
TOLL-8
|
|
650 V
|
|
75 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMTA65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$446.33
-
1,958庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R026M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
1,958庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
79 A
|
33 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
- IMTA65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$388.26
-
1,648庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R033M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
|
|
1,648庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LHSOF-4
|
|
650 V
|
68 A
|
41 mOhms
|
- 7 V to + 23 V
|
5.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
315 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$223.35
-
2,027庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R075M2HXTM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
2,027庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LHSOF-4
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
95 mOhms
|
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
141 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R075M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$303.65
-
476庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMW65R075M2HXKSA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
476庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
26.6 A
|
95 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
14.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
111 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMTA65R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$523.05
-
10,334庫存量
|
Mouser 元件編號
726-IMTA65R020M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
10,334庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
|
|
20 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$938.19
-
14庫存量
-
3,750在途量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMDQ65R010M2HXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
14庫存量
3,750在途量
在途量:
2,250 預期2026/11/26
1,500 預期2027/5/13
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
1 Channel
|
650 V
|
154 A
|
13.1 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
113 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
651 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R026M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$510.15
-
21庫存量
-
2,000預期2027/4/29
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R026M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
21庫存量
2,000預期2027/4/29
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
81 A
|
33 mOhms
|
|
5.6 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
365 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R050M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$314.40
-
39庫存量
-
4,000預期2027/5/6
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IMT65R050M2HXUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
39庫存量
4,000預期2027/5/6
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
1 Channel
|
650 V
|
48.1 A
|
62 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
237 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$669.68
-
1,064庫存量
|
Mouser 元件編號
726-IMBG65R015M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,064庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
650 V
|
115 A
|
18 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.6 V
|
79 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
416 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$539.90
-
1,705庫存量
|
Mouser 元件編號
726-IMLT65R020M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,705庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
1 Channel
|
650 V
|
|
20 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
NT$499.03
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351庫存量
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3,600預期2027/8/5
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Mouser新產品
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Mouser 元件編號
726-IMLT65R026M2HXTM
Mouser新產品
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Infineon Technologies
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碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
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351庫存量
3,600預期2027/8/5
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最少： 1
倍數： 1
:
1,800
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SMD/SMT
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1 Channel
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650 V
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82 A
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33 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.6 V
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42 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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365 W
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Enhancement
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CoolSiC
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