CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (VG(th))，確保了精確的控制。

結果: 45
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
31庫存量
480在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
142庫存量
240預期2026/10/29
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
128庫存量
240預期2026/10/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
規格書
18庫存量
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
90庫存量
2,000在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
349庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
1,641庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
1,757庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
516庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
991庫存量
1,000預期2027/4/22
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
5,094庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
210庫存量
1,000預期2026/11/5
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
規格書
41庫存量
2,000在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
69庫存量
2,250預期2026/9/8
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
5,039在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
492預期2027/7/29
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 1.2 kV 342 A 13.6 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 261 nC - 55 C + 175 C 1.364 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
規格書
1,480在途量
最少： 1
倍數： 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
1,440在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
規格書
1,992在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
240預期2026/10/29
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC