碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能，優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比，碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷，可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關，可確保穩定的高溫性能。

分離式半導體的類型
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結果: 33
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
規格書
170在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 20 A SiC SBD
規格書
350預期2026/9/2
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
規格書
60預期2026/9/7
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 50A SiC SBD
規格書
150預期2026/8/31
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 14
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount SOT-227
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 10 A TO-268
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 270
倍數： 30

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 150
倍數： 50

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2