碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能，優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比，碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷，可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關，可確保穩定的高溫性能。

分離式半導體的類型
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結果: 33
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
規格書
258庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
規格書
826庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 10 A SiC SBD
規格書
623庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
規格書
43庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
141庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 30 A SiC SBD
規格書
575庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
規格書
982庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
規格書
888庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
規格書
76庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
規格書
853庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
18庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD
規格書
82庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD
規格書
75庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247
規格書
159庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 30A SiC SBD
規格書
70庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 50 A SiC SBD
規格書
105庫存量
150預期2026/9/3
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
規格書
41庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
規格書
55庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
規格書
151庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
規格書
124庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
規格書
509預期2026/9/3
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
450預期2026/9/25
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2