Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

結果: 49
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
規格書
321庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
規格書
689庫存量
1,300預期2026/8/17
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
規格書
1,195庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
規格書
719庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
規格書
560庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
2,652庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TO220
規格書
858庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
規格書
1,659庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
規格書
3,764庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
2,446庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
規格書
1,778庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
規格書
1,475庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
規格書
1,239預期2026/9/18
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,200
倍數： 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN