Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

結果: 49
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
技術
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 85mohm GaN FET in TOLL 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in TO220
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 960
倍數： 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLT 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,300
倍數： 1,300
: 1,300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 960
倍數： 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 960
倍數： 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,250
倍數： 1,250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 65mohm GaN FET in TOLL 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 65mohm GaN FET in TOLT 無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,300
倍數： 1,300
: 1,300

650 V SuperGaN