eMode GaN FET(氮化鎵場效應晶體管)

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

結果: 18
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,814庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2,404庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2,406庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,930庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2,355庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,923庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,156庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 857庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2,357庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,488庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 89庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 514庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250預期2026/10/19
最少: 1
倍數: 1