Nexperia eMode GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）
Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.
Nexperia低電壓 (<200V) eMode GaN FET能為電源系統提供最高的彈性。這些裝置具備極低的QC和QOSS值，可提供卓越的切換效能。可加快電動車和有線/無線充電系統的充電速度，大幅節省LiDAR的空間和BOM，同時降低Class D音訊放大器的雜訊。
特點
- 強化模式 - 常關式電源開關
- 超高頻切換能力
- 無內接二極體
- 低閘極電荷，低輸出電荷
- 符合標準應用的要求
- ESD保護
- 無鉛，符合RoHS指令與REACH標準
- 高效率、高功率密度
應用
- 高功率密度和高效率電源轉換
- AC轉DC轉換器
- 可加快電池充電、行動電話、筆記型電腦、平板電腦和USB Type-C™充電器的速度
- 資料通訊和電信通訊（AC-DC和DC-DC）轉換器
- 馬達驅動器
- Class D音訊放大器
影片
其他資源
- Power GaN Technology: The need for efficient power conversion
- Nexperia launches e-mode GAN FETs for low and high voltage applications
- Gate drive circuit design for Nexperia 650 V Enhancement mode (e-mode) GaN FETs
- 650 V GaN FETs – from invention to industrialization
- Eliminating EMC By Replacing A MOSFET With A GaN Transistor
- Power GaN technology: the need for efficient power conversion
- Power Gallium Nitride (GaN) FETs Leaflet
- Power GaN: The need for efficient power conversion
- Broadening GaN FET applications with e-mode
- GaN shines a light on PV inverter efficiency
相關產品
Nexperia 適合工業應用的GaN FET
在電力轉換與控制領域展現卓越效能。
Nexperia GAN041-650WSB氮化鎵(GaN) FET
提供650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流及41mΩ最大電阻。
View Results ( 18 ) Page
| 零件編號 | 規格書 | 封裝/外殼 | Vds - 漏-源擊穿電壓 | Id - C連續漏極電流 | Pd - 功率消耗 | Rds On - 漏-源電阻 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN140-650EBEZ |  |
DFN-8080-8 | 650 V | 17 A | 113 W | 140 mOhms |
| GANC035-650TBHZ | |
|||||
| GANC035-650UTHZ | |
|||||
| GANC035-650VSHQ | |
|||||
| GANC070-650TBHZ | |
|||||
| GANC070-650UTHZ | |
|||||
| GANC070-650WSHQ | |
|||||
| GANE140-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 17 A | 110 W | 140 mOhms |
| GANE190-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 11.5 A | 84 W | 190 mOhms |
| GANE350-650FBAZ | |
DFN-5 | 650 V | 6 A | 65 W | 350 mOhms |
發佈日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2026-07-07