Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

電晶體的類型
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結果: 43
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
規格書
2,309庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
規格書
7庫存量
600預期2027/6/11
最少： 1
倍數： 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
規格書
38庫存量
1,200在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
規格書
542庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
規格書
448庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
規格書
301庫存量
600在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
規格書
274庫存量
600預期2027/5/7
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
規格書
656庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
規格書
246庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
規格書
140庫存量
600預期2026/10/2
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
規格書
315庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
規格書
487庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
規格書
481庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
規格書
1,414庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
規格書
1庫存量
1,000預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
規格書
22庫存量
1,000預期2027/2/5
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
規格書
13庫存量
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
規格書
21庫存量
600在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
規格書
32庫存量
1,200預期2027/1/29
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
規格書
742庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
規格書
334庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
規格書
1,301庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
規格書
4,893庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
規格書
14庫存量
1,800預期2027/1/29
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
規格書
5庫存量
600預期2027/4/16
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel