DRAM

結果: 2,508
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz WLCSP-8 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
規格書
前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Apacer DRAM REG DDR4-2400 DIMM 4GB CL17 WT
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Apacer DRAM REG DDR4-2400 DIMM 8GB CL17 WT
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Apacer DRAM REG DDR4-2666 DIMM 8GB CL19 WT
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Apacer DRAM DDR4-2666 REG DIMM CL19 4GB I-temp
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Amphenol FCI 10157422-004RHLF
Amphenol FCI DRAM DDR5 SODIMM 4.0H-262P RVS 15U'' AU 無庫存前置作業時間 7 週
最少： 3,680
倍數： 920
Amphenol FCI 10162416-004RHLF
Amphenol FCI DRAM DDR5 SODIMM 4.0H-262P STD 15U'' AU 無庫存前置作業時間 7 週
最少： 3,680
倍數： 920
: 920
Reel
Advantech SQR-LD4N64G2K6HRAE
Advantech DRAM 288pin LRDIMM DDR4 2666 64GB, 4Gx4, ECC, Register, (0-85)
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Winbond W638GU6RB-09
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz 無庫存前置作業時間 36 週
最少： 198
倍數： 198

Tray
Winbond W638GU6RB-09 TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

Reel