SRAM

結果: 11,643
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
資格
封裝
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
規格書
956在途量
最少： 1
倍數： 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
213預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
2預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

32 Mbit 8 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
規格書
前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
GSI Technology SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 10
倍數： 10
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 10
倍數： 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 10
倍數： 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 10
倍數： 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 10
倍數： 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 15
倍數： 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 10
倍數： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 10
倍數： 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 10
倍數： 10

288 Mbit 8 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 835 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 1
倍數： 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 14
倍數： 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray