DRAM

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結果: 2,449
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
規格書
56庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz WBGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16160B Reel
ISSI DRAM SYNC. DRAM 256Mb 16M x16, Automotive
規格書
產品評論
1庫存量
108預期2026/12/8
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
規格書
54庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS
規格書
22庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
規格書
264預期2027/2/9
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
規格書
136在途量
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
455庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
規格書
2,436預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
ISSI IS43LQ32640A-062BLI
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
45庫存量
最少： 1
倍數： 1

BGA-200
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
2,500在途量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
338預期2027/2/9
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
795在途量
最少： 1
倍數： 1

Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
26,972在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
Zentel Japan DRAM DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
規格書
1,930預期2026/8/19
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C DDR4 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
313在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
4,264在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape