DRAM

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,380
倍數: 3,380

Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,380
倍數: 3,380

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB030
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,380
倍數: 3,380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,380
倍數: 3,380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,800
倍數: 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
Bulk
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V N/A
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M16D2A-25 Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 2Gb,128M x 16, 1.35V ,96-Ball FBGA, 933MHz,INDUSTRIAL TEMP, Rev.E 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 209
倍數: 209
SDRAM - DDR3L 16 bit 933 MHz FBGA-96 128M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C DRAM Tray