CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET
英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。
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英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。