CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。

結果: 53
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
3,999預期2026/7/9
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,680預期2026/6/18
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
6,960在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC