CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (VG(th))，確保了精確的控制。

結果: 42
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
376庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
規格書
833庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
規格書
578庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
規格書
492庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
規格書
492庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
1,988庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
649庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
452庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
405庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
570庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
規格書
666庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
規格書
682庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
規格書
404庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
150庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
190庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
230庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
150庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
188庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
161庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
237庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
規格書
198庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
規格書
664庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
規格書
706庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
規格書
683庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC