碳化矽MOSFET – Mouser 臺灣

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CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (V_G(th))，確保了精確的控制。

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結果: 42

已用篩選:

安裝風格

封裝/外殼

晶體管極性

通道數

Vds - 漏-源擊穿電壓

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs - 閘極-源極電壓

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

最低工作溫度

最高工作溫度

Pd - 功率消耗

通道模式

公司名稱

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庫存量

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新產品

符合 RoHS

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零件編號

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: NT$377.40
959庫存量
新產品

製造商元件編號
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 元件編號
726-IMZC120R034M2HXK

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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規格書

959庫存量

NT$377.40

NT$295.12

NT$245.82

NT$219.30

NT$185.98

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: NT$352.92
967庫存量
新產品

製造商元件編號
IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 元件編號
726-IMZC120R040M2HXK

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

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規格書

967庫存量

NT$352.92

NT$276.08

NT$230.18

NT$205.02

NT$182.58

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: NT$312.46
858庫存量
新產品

製造商元件編號
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 元件編號
726-IMZC120R053M2HXK

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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規格書

858庫存量

NT$312.46

NT$232.56

NT$193.80

NT$172.72

NT$153.68

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: NT$271.32
556庫存量
新產品

製造商元件編號
IMZC120R078M2HXKSA1

Mouser 元件編號
726-IMZC120R078M2HXK

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

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規格書

556庫存量

NT$271.32

NT$191.42

NT$159.46

NT$142.12

NT$126.48

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$1,091.06
1,054庫存量

製造商元件編號
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

1,054庫存量

帶狀裁切

NT$1,091.06

NT$930.58

NT$813.96

捲

NT$813.96

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$758.20
1,189庫存量

製造商元件編號
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

1,189庫存量

帶狀裁切

NT$758.20

NT$620.50

NT$548.08

捲

NT$548.08

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$579.70
3,648庫存量

製造商元件編號
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

3,648庫存量

帶狀裁切

NT$579.70

NT$464.10

NT$401.20

捲

NT$401.20

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$505.58
433庫存量

製造商元件編號
IMBG120R022M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

433庫存量

帶狀裁切

NT$505.58

NT$377.74

NT$326.40

NT$309.06

捲

NT$262.48

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$417.86
1,900庫存量

製造商元件編號
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

1,900庫存量

帶狀裁切

NT$417.86

NT$340.00

NT$283.22

NT$252.62

捲

NT$214.20

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$324.02
475庫存量

製造商元件編號
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

475庫存量

帶狀裁切

NT$324.02

NT$245.48

NT$204.68

NT$182.24

捲

NT$162.52

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$240.04
1,651庫存量

製造商元件編號
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

1,651庫存量

帶狀裁切

NT$240.04

NT$175.44

NT$142.12

NT$126.14

捲

NT$108.12

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$206.38
752庫存量

製造商元件編號
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

752庫存量

帶狀裁切

NT$206.38

NT$144.16

NT$116.62

NT$103.36

捲

NT$88.74

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$174.42
256庫存量
1,000預期2026/3/5

製造商元件編號
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

256庫存量

1,000預期2026/3/5

帶狀裁切

NT$174.42

NT$115.94

NT$88.06

NT$80.58

捲

NT$67.66

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$159.46
259庫存量
5,000在途量

製造商元件編號
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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規格書

259庫存量

5,000在途量

帶狀裁切

NT$159.46

NT$105.40

NT$79.22

NT$71.74

捲

NT$60.86

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: NT$282.88
9庫存量
2,000預期2026/6/11

製造商元件編號
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 元件編號
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多

規格書

9庫存量

2,000預期2026/6/11

帶狀裁切

NT$282.88

NT$198.22

NT$160.48

NT$150.28

捲

NT$130.56

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

捲: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: NT$523.94
13庫存量
1,680在途量
新產品

製造商元件編號
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 元件編號
726-IMZC120R022M2HXK

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

了解更多

規格書

13庫存量

1,680在途量

NT$523.94

NT$405.62

NT$350.54

NT$350.20

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: NT$1,622.82
750預期2026/3/5
新產品

製造商元件編號
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 元件編號
726-IMCQ120R005M2HXU

新產品

Infineon Technologies

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多

規格書

750預期2026/3/5

帶狀裁切

NT$1,622.82

NT$1,355.92

NT$1,317.16

NT$1,158.72

捲

NT$1,158.72

最少： 1
倍數： 1

捲: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

客戶服務部

公司

資源

支援

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W