650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
430庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
3,914庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
1,285庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
569庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
776庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
1,595庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
828庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
428庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
規格書
2,272庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 6
規格書
796庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 6
規格書
697庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
規格書
720庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
規格書
800庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
規格書
410庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
規格書
394庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,143庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 6
規格書
104庫存量
1,350在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
324庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
432庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TOLL 650V
規格書
1,374庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
8庫存量
900預期2026/6/26
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
874庫存量
最少： 1
倍數： 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
189庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,812庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC