UF3SC高效能SiC FET

UnitedSiC UF3SC高效能SiC FET是首個具有RDS_(on)低於10M Ω的SiC FET裝置，可實現快速切換速度和更低的開關損耗。這基於一種獨特的「共源共柵」電路配置，並具有超低柵極電荷。「共源共柵」配置採用常開 (normally-on) SiC JFET，它與Si MOSFET共同封裝，以構建出常關 (normally-off) SiC FET裝置。UF3SC FET具有標準閘極驅動特性，允許「直接替換」Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置。這些SiC FET包括低本質電容和卓越的反向恢復功能。UF3SC FET以-55°C至+175°C溫度範圍及-20V至+ 20V閘源電壓範圍運行。這些SiC FET理想適用於電動汽車充電、光伏逆變器、電機驅動器、開關模式電源、功率因素校正模組及感應加熱領域。