碳化矽MOSFET – Mouser 臺灣

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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結果: 10

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安裝風格

封裝/外殼

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs - 閘極-源極電壓

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

最高工作溫度

Pd - 功率消耗

資格

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零件編號

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: NT$487.92
556庫存量
1,000預期2027/4/2

製造商元件編號
SCT027H65G3AG

Mouser 元件編號
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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規格書

556庫存量

1,000預期2027/4/2

帶狀裁切

NT$487.92

NT$277.48

NT$276.76

捲

NT$261.71

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: NT$416.94
467庫存量

製造商元件編號
SCT040W65G3-4

Mouser 元件編號
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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規格書

467庫存量

NT$416.94

NT$228.36

NT$212.95

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: NT$481.11
429庫存量

製造商元件編號
SCT040W65G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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規格書

429庫存量

NT$481.11

NT$321.22

NT$298.27

NT$257.04

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: NT$328.03
1,404庫存量

製造商元件編號
SCT055TO65G3

Mouser 元件編號
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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規格書

1,404庫存量

帶狀裁切

NT$328.03

NT$179.61

NT$168.14

NT$155.59

捲

NT$155.59

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: NT$594.03
26庫存量
1,000預期2027/4/30

製造商元件編號
SCT018H65G3AG

Mouser 元件編號
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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規格書

26庫存量

1,000預期2027/4/30

帶狀裁切

NT$594.03

NT$357.07

捲

NT$337.71

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: NT$434.14
638庫存量

製造商元件編號
SCT040H65G3AG

Mouser 元件編號
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

了解更多

規格書

638庫存量

帶狀裁切

NT$434.14

NT$244.14

NT$237.69

捲

NT$224.78

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: NT$368.54
8庫存量
1,800預期2027/1/29

製造商元件編號
SCT040TO65G3

Mouser 元件編號
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

了解更多

規格書

8庫存量

1,800預期2027/1/29

帶狀裁切

NT$368.54

NT$204.35

NT$190.36

NT$189.29

NT$183.19

捲

NT$179.25

最少： 1
倍數： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: NT$490.43
1庫存量
600預期2026/10/30

製造商元件編號
SCT055W65G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

了解更多

規格書

1庫存量

600預期2026/10/30

NT$490.43

NT$366.75

NT$335.56

NT$290.74

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: NT$669.68
600預期2027/7/30

製造商元件編號
SCT018W65G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

規格書

600預期2027/7/30

NT$669.68

NT$435.22

NT$405.11

NT$358.86

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: NT$565.00
無庫存前置作業時間 25 週
新產品

製造商元件編號
SCT018H65G3-7

Mouser 元件編號
511-SCT018H65G3-7

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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規格書

無庫存前置作業時間 25 週

帶狀裁切

NT$565.00

NT$397.58

NT$334.84

捲

NT$312.61

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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