1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。

分離式半導體的類型
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結果: 37
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Infineon Technologies 離散半導體模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1
Discrete Semiconductor Modules SiC


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET模組 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
18庫存量
最少： 1
倍數： 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module


Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
規格書
22庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies IGBT 模組 EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
規格書
20庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
規格書
22庫存量
15預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
規格書
16庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules Si Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si Press Fit


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
規格書
32庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si SMD/SMT
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
規格書
20庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
規格書
8庫存量
10預期2026/4/29
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Stud Mount
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM
規格書
13庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
規格書
10庫存量
30在途量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM
規格書
46庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
規格書
3庫存量
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules Si