將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。

結果: 49
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,292庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 20MW 1200V
規格書
996庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
規格書
2,424庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
430庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
569庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
規格書
1,491庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
3,923庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
規格書
1,014庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,824庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 60MOHM
規格書
265庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
規格書
221庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
規格書
2,060庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 16
規格書
2,161庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
規格書
1,182庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
1,595庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L
規格書
314庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
規格書
1,276庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
規格書
1,973庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
規格書
646庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET 60MOHM 900V
規格書
1,219庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1
規格書
1,326庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V
規格書
1,861庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1
規格書
257庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
規格書
689庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
規格書
181庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC