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氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
NT$279.63
-
364庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT070R70HTO
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
364庫存量
|
|
|
NT$279.63
|
|
|
NT$200.40
|
|
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NT$174.95
|
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NT$169.93
|
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NT$162.40
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最少： 1
倍數： 1
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SMD/SMT
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TO-LL-11
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700 V
|
26 A
|
70 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
231 W
|
Enhancement
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氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
NT$60.59
-
695庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT350R70GTK
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
695庫存量
|
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|
NT$60.59
|
|
|
NT$40.51
|
|
|
NT$33.84
|
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NT$32.55
|
|
|
NT$30.36
|
|
|
檢視
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NT$31.51
|
|
|
NT$29.36
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
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|
SMD/SMT
|
DPAK-3
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700 V
|
6 A
|
350 mOhms
|
- 1.4 V, + 7 V
|
2.5 V
|
1.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
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氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
NT$215.82
-
1,000預期2026/5/11
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT080R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
1,000預期2026/5/11
|
|
|
NT$215.82
|
|
|
NT$159.17
|
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|
NT$129.06
|
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|
NT$124.76
|
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NT$120.46
|
|
|
NT$114.72
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
29 A
|
80 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
6.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
188 W
|
Enhancement
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
NT$216.18
-
無庫存前置作業時間 52 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT105R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
無庫存前置作業時間 52 週
|
|
|
NT$216.18
|
|
|
NT$164.55
|
|
|
NT$127.27
|
|
|
NT$119.74
|
|
|
NT$115.80
|
|
|
NT$102.89
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
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|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
21.7 A
|
105 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
4.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
158 W
|
Enhancement
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
NT$76.00
-
無庫存前置作業時間 52 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT140R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
無庫存前置作業時間 52 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
NT$137.66
-
無庫存前置作業時間 52 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT190R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
無庫存前置作業時間 52 週
|
|
|
NT$137.66
|
|
|
NT$100.38
|
|
|
NT$75.64
|
|
|
NT$70.98
|
|
|
NT$68.12
|
|
|
NT$60.23
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
11.5 A
|
190 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
NT$59.87
-
無庫存前置作業時間 52 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT240R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
無庫存前置作業時間 52 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
10 A
|
240 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
76 W
|
Enhancement
|
|
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氮化鎵場效應管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT65R65AL
- STMicroelectronics
-
3,000:
NT$169.21
-
無庫存前置作業時間 52 週
|
Mouser 元件編號
511-SGT65R65AL
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
無庫存前置作業時間 52 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
25 A
|
65 mOhms
|
+ 6 V
|
1.8 V
|
5.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
|
|
臺灣