L-TOGL與S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N通道MOSFET

Toshiba L-TOGL與S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N通道MOSFET具有超低導通電阻、高漏極電流額定值和高散熱性能。這是由於結合了高散熱封裝 [L-TOGL（大型晶體管輪廓鷗翼引腳）和 S-TOGL（大型晶體管輪廓鷗翼引腳）] 與U-MOS IX-H和U-MOS X-H晶片製程。Toshiba L-TOGL和S-TOGL MOSFET也提供高電流能力和高散熱性能，有助於改善各種汽車應用中的功率密度。L-TOGL封裝的尺寸與現有的TO-220SM(W)封裝相當。然而，XPQR3004PB大幅提升了額定電流，並將導通電阻顯著降低至典型值0.23mΩ。相較於同尺寸的TO-220SM(W)封裝，L-TOGL優化的封裝占位面積亦有助於改善熱特性。