結果: 23
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
規格書
446庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
442庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
規格書
5,277庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
416庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
1,170庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
992庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
305庫存量
240預期2026/3/19
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
規格書
818庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
規格書
399庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
規格書
49庫存量
4,250在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
422庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
347庫存量
240預期2026/3/19
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
194庫存量
240預期2026/6/18
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
99庫存量
240預期2027/2/25
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
規格書
153庫存量
960預期2026/6/11
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
規格書
35庫存量
960在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
規格書
421庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 350 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
19庫存量
720預期2027/1/28
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
219預期2027/2/26
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
規格書
1,974在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
707在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
480預期2026/6/16
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC