|
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$335.58
-
351庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PQS-TR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
351庫存量
|
|
|
NT$335.58
|
|
|
NT$231.54
|
|
|
NT$154.36
|
|
|
NT$154.02
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLL-10
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55.7 A
|
41 mOhms
|
|
4.8 V
|
24.5 nC
|
- 55C
|
+ 150 C
|
192 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$340.68
-
798庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PWS
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
798庫存量
|
|
|
NT$340.68
|
|
|
NT$238.34
|
|
|
NT$162.18
|
|
|
NT$159.80
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55.7 A
|
41 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
24.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
192 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$338.30
-
1,428庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PRS-TR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,428庫存量
|
|
|
NT$338.30
|
|
|
NT$233.24
|
|
|
NT$190.40
|
|
|
NT$155.38
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55.7 A
|
41 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
24.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
192 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
- TP65H100G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$210.46
-
850庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H100G4PS
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
|
|
850庫存量
|
|
|
NT$210.46
|
|
|
NT$141.44
|
|
|
NT$95.88
|
|
|
NT$82.62
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
650 V
|
18.9 A
|
110 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
3.65 V
|
14.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
65.8 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H050G4YS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$332.18
-
611庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H050G4YS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
611庫存量
|
|
|
NT$332.18
|
|
|
NT$228.48
|
|
|
NT$151.98
|
|
|
NT$151.64
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
35 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
132 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$270.30
-
2,674庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSG-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
2,674庫存量
|
|
|
NT$270.30
|
|
|
NT$183.94
|
|
|
NT$141.78
|
|
|
NT$115.60
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PQFN-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
29 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$265.88
-
2,518庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
2,518庫存量
|
|
|
NT$265.88
|
|
|
NT$180.54
|
|
|
NT$138.38
|
|
|
NT$112.88
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PQFN-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
29 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TO220
- TP65H070G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$255.34
-
1,226庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4PS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TO220
|
|
1,226庫存量
|
|
|
NT$255.34
|
|
|
NT$137.70
|
|
|
NT$126.48
|
|
|
NT$107.10
|
|
|
NT$107.10
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
29 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.7 V
|
9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
- TP65H070G4RS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$270.98
-
1,696庫存量
-
Mouser新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4RS-TR
Mouser新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,696庫存量
|
|
|
NT$270.98
|
|
|
NT$184.28
|
|
|
NT$142.12
|
|
|
NT$115.94
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
29 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$69.02
-
3,773庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H480G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
3,773庫存量
|
|
|
NT$69.02
|
|
|
NT$44.20
|
|
|
NT$29.89
|
|
|
NT$23.73
|
|
|
NT$22.41
|
|
|
NT$18.26
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
3.6 A
|
560 mOhms
|
- 10 V, + 10 V
|
2.8 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
13.2 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GAN FET 650V 95A TO2 47
- TP65H015G5WS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$750.38
-
409庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H015G5WS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 GAN FET 650V 95A TO2 47
|
|
409庫存量
|
|
|
NT$750.38
|
|
|
NT$730.32
|
|
|
NT$685.78
|
|
|
NT$435.88
|
|
|
NT$435.54
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
95 A
|
18 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
276 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H050G4WS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$360.06
-
768庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H050G4WS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
768庫存量
|
|
|
NT$360.06
|
|
|
NT$215.56
|
|
|
NT$183.26
|
|
|
NT$170.00
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
34 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
119 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
- TP65H150G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
NT$155.72
-
856庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H150G4PS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
|
|
856庫存量
|
|
|
NT$155.72
|
|
|
NT$80.24
|
|
|
NT$73.10
|
|
|
NT$61.54
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$55.76
|
|
|
NT$55.08
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
180 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
52 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
NT$69.02
-
1,685庫存量
|
Mouser 元件編號
227-TP65H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
1,685庫存量
|
|
|
NT$69.02
|
|
|
NT$44.20
|
|
|
NT$29.89
|
|
|
NT$29.17
|
|
|
NT$18.70
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$27.61
|
|
|
NT$22.37
|
|
|
NT$18.26
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
PQFN-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
3.6 A
|
560 mOhms
|
- 18 V, + 18 V
|
2.8 V
|
9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
13.2 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H035G4YS
- Renesas Electronics
-
1,200:
NT$180.54
-
無庫存前置作業時間 26 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H035G4YS
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
無庫存前置作業時間 26 週
|
|
最少： 1,200
倍數： 1,200
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
46.5 A
|
41 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
3.6 V
|
42.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
156 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
- TP65H050G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
NT$143.48
-
無庫存前置作業時間 16 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H050G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 2,000
倍數： 2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
34 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
119 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSGBEA-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
NT$115.60
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGBEA
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
|
PQFN-8
|
|
|
650 V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSGEA-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
NT$109.48
-
無庫存前置作業時間 16 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGEAT
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
|
PQFN-8
|
|
|
650 V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
- TP65H070G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
NT$102.00
-
無庫存前置作業時間 16 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 2,000
倍數： 2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
29 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.8 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
SuperGaN
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H100G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
NT$70.38
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H100G4LSGBTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
|
|
|
SMD/SMT
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PQFN-8
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N-Channel
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1 Channel
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650 V
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18.9 A
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110 mOhms
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- 20 V, + 20 V
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4.1 V
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14.4 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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Enhancement
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SuperGaN
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氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H150G4LSG-TR
- Renesas Electronics
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3,000:
NT$400.18
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSG-TR
新產品
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Renesas Electronics
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氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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無庫存前置作業時間 14 週
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最少： 3,000
倍數： 3,000
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700 V
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SuperGaN
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氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H150G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
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3,000:
NT$45.90
-
無庫存前置作業時間 14 週
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Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSGBTR
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Renesas Electronics
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氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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無庫存前置作業時間 14 週
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NT$45.90
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NT$45.22
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最少： 3,000
倍數： 3,000
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700 V
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SuperGaN
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氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H300G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
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5,000:
NT$129.54
-
無庫存前置作業時間 14 週
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Mouser 元件編號
227-TP70H300G4JSGBTR
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Renesas Electronics
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氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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無庫存前置作業時間 14 週
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最少： 5,000
倍數： 5,000
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700 V
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SuperGaN
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氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H300G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
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1:
NT$150.28
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
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Mouser 元件編號
227-TP70H300G4LSGBTR
新產品
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Renesas Electronics
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氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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無庫存前置作業時間 14 週
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NT$150.28
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NT$100.30
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NT$77.18
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NT$68.34
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NT$58.48
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NT$55.08
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最少： 1
倍數： 1
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700 V
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SuperGaN
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氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
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5,000:
NT$20.06
-
無庫存前置作業時間 14 週
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Mouser 元件編號
227-TP70H480G4JSG-TR
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Renesas Electronics
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氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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無庫存前置作業時間 14 週
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NT$20.06
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NT$19.75
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報價
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報價
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最少： 5,000
倍數： 5,000
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700 V
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SuperGaN
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臺灣