Tube MOSFET

結果: 4,965
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
規格書
411庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
規格書
299庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
規格書
2,102庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
規格書
1,901庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM
規格書
1,908庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 250V N-Ch MOSFET
規格書
16,463庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
規格書
6,774庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
規格書
13,277庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
onsemi MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
規格書
7,438庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
規格書
10,888庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFET DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
規格書
273庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
規格書
726庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover
規格書
1,963庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SuperFET2 800V
規格書
1,485庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
規格書
4,424庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
規格書
3,894庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TenchP Power MOSFET
規格書
2,805庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET Standard Linear Power MOSFET
規格書
2,981庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 100V 4A P-CH MOSFET
規格書
產品評論
76,969庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
規格書
4,009庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
規格書
3,528庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
規格書
21,864庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
規格書
65,071庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.8 A 2.38 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
規格書
14,585庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
規格書
2,862庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube