onsemi 碳化矽MOSFET

結果: 217
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 460庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 221庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 463庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 689庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L 828庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC


onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK 551庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 130庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 686庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 234庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 450庫存量
最少: 1
倍數: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-7 748庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L 428庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 282庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7 270庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET

onsemi 碳化矽MOSFET 20MOHM 900V 348庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1,117庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 255庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3 205庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 60MOHM 1,003庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V 560庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK automotive grade 555庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge 48庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole APM-16 N-Channel 4 Channel 650 V 31 A 44 mOhms - 8 V, + 22 C 4 V 58 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S 1,737庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

SMD/SMT H-PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 32.6 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement