STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET
STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。
特點
- 令人印象深刻的品質因數 (RDS(on) x Qg)
- 在650V電壓範圍下可達到優異的RDS(on)
- 低Qg
- 高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性
- 高功率等級
- 高功率密度和低傳導耗損
- 高效率和低開關功率耗損
- 高開關速度
- 高耐用度和可靠性，可實現更小型的設計
應用
- 電信伺服器和資料中心
- 5G電力站
- 平面電視面板和PC SMPS
- 高速充電器
- 太陽能微型逆變器
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應用焦點：測試與分析
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| 零件編號 | 規格書 | 安裝風格 | Id - C連續漏極電流 | Vgs th - 門源門限電壓 | Qg - 閘極充電 | Pd - 功率消耗 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L65N065DM9 |  |
SMD/SMT | 44 A | 4.5 V | 78 nC | 223 W |
| ST8L65N050DM9 | |
SMD/SMT | 55 A | 4.5 V | 107 nC | 167 W |
| STWA60N035M9 | |
Through Hole | 62 A | 4.2 V | 112 nC | 321 mW |
| STP60N043DM9 | |
Through Hole | 56 A | 4.5 V | 78.6 nC | 245 W |
| STP65N045M9 | |
Through Hole | 55 A | 4.2 V | 80 nC | 245 W |
| STH65N050DM9-7AG | |
SMD/SMT | 51 A | 4.5 V | 100 nC | 266 W |
| STHU65N050DM9AG | |
SMD/SMT | 51 A | 4.5 V | 100 nC | 245 W |
| ST8L60N065DM9 | |
SMD/SMT | 39 A | 4.5 V | 66 nC | 202 W |
| ST8L65N044M9 | |
SMD/SMT | 58 A | 4.2 V | 110 nC | 166 W |
| STH60N099DM9-2AG | |
SMD/SMT | 27 A | 4.5 V | 44 nC | 179 W |
發佈日期: 2023-01-23
| 更新日期: 2026-01-26