Vishay工業電源解決方案

高電壓 - PFC/PWM

高電壓(600-650V) 裝置可用於PFC (功率因數校正)與PWM (脈寬調變)。

Vishay Siliconix E系列高效能MOSFET為超接面N通道功率MOSFET，具備低導通電阻(R_DS(on))、低輸入電容(Ciss)、更低的電容開關損耗，以及超低閘極電荷(Qg)。E系列亦提供簡單的閘極驅動電路、低品質因數(FOM：RDS(on) x Qg)，以及快速開關。

Vishay EF系列功率MOSFET具備超低Qrr，僅為標準MOSFET的十分之一，使得應用更加可靠。較低的Qrr使裝置能夠更快恢復阻斷全崩潰電壓的能力，有助於避免因擊穿與熱應力過大而造成故障。此外，相較於標準MOSFET，較低的Qrr可帶來較低的反向回復損耗。此裝置超低的導通電阻與閘極電荷，可實現極低的導通與開關損耗。

中電壓 - PFC/PWM

中電壓(80-250V)裝置可用於PFC與PWM。

Vishay SUM與SUP ThunderFET® TrenchFET® MOSFET推出全新N通道極性選項，擴充ThunderFET與TrenchFET IV系列的低中範圍Vds電壓MOSFET產品陣容。上述MOSFET採用TO-220與TO-263封裝以及60V、80V及100V Vds電壓。

Vishay SUD70090E N通道MOSFET為100V ThunderFET®，具備175°C最高接點溫度。SUD70090E的Q_GD/Q_GS 比率低於1，提供最佳化的開關作業。此款MOSFET適用於DC/DC轉換器、電動工具及馬達驅動器開關。

Vishay Siliconix ThunderFET® 功率MOSFET為額定4.5V的100V MOSFET，提供業界最低的導通電阻值。除了導通電阻與閘極電荷產品之外，DC-DC轉換器應用中的MOSFET關鍵品質因數(FOM)，同樣具有同級產品中最佳的水準。對設計人員而言，較低的導通電阻可為節能綠能解決方案，提供較低的導通損耗與耗電量。

同步整流(SR)驅動器

TrenchFET Gen IV MOSFET (30V-80V)適用於同步整流(SR)驅動器

Vishay SUM與SUP ThunderFET® TrenchFET® MOSFET推出全新N通道極性選項，擴充ThunderFET與TrenchFET IV系列的低中範圍Vds電壓MOSFET產品陣容。上述MOSFET採用TO-220與TO-263封裝以及60V、80V及100V Vds電壓。

Vishay Siliconix TrenchFET® Gen IV N通道MOSFET為Vishay的全新一代TrenchFET®系列N通道功率MOSFET。此新款裝置採用全新高密度設計，以及PowerPAK® SO-8與1212-8封裝，提供業界最低的1.35mΩ導通電阻(4.5V時)，總閘極電荷也更低。產品特色包括極低的RDS(on)，可帶來較低的導通損耗以降低耗電量以及超低Qdg/Qgs比率小於0.5，其PowerPAK® 1212-8封裝更能節省空間，尺寸僅為類似產品的三分之一，但效率依然非常優異。

OR-ing控制

適用於OR-ing控制的P與N通道 MOSFET (20V-30V)

Vishay Siliconix TrenchFET® Gen IV N通道MOSFET為Vishay的全新一代TrenchFET®系列N通道功率MOSFET。此新款裝置採用全新高密度設計，以及PowerPAK® SO-8與1212-8封裝，提供業界最低的1.35mΩ導通電阻(4.5V時)，總閘極電荷也更低。產品特色包括極低的RDS(on)，可帶來較低的導通損耗以降低耗電量以及超低Qdg/Qgs比率小於0.5，其PowerPAK® 1212-8封裝更能節省空間，尺寸僅為類似產品的三分之一，但效率依然非常優異。

Vishay Siliconix TrenchFET® Gen III P通道MOSFETS採用最新世代的P通道矽技術，實現業界最佳的導通電阻規格，例如1.9毫歐姆(使用PowerPAK® SO-8)。Vishay Siliconix TrenchFET Gen III P通道功率MOSFET具有極低的導通電阻，僅為市場上次佳產品的一半，可提供較低的導通損耗，滿足更高的效率，在電池供電的應用中延長充電後的使用時間。

DC/DC

MicroBUCK™ 開關穩壓器

Vishay Siliconix SiC4xx MicroBUCK™ 整合降壓穩壓器可大幅降低基板空間需求。SiC401A/B為先進獨立同步降壓穩壓器，整合功率MOSFET、自舉開關及可程式LDO。

DC-Link薄膜電容器

Vishay / Roederstein MKP1848C DC-Link電容器為高密度元件，具有極長的使用壽命以及高漣波電流能力。MKP1848C DC-Link電容器亦提供低ESR與低ESL。此系列搭配使用可再生能源逆變器及馬達驅動器。

Vishay / Roederstein MKP1848S Slim DC-Link薄膜電容器為高效能DC濾波器，可提供薄型設計與極低的高度，最高作業溫度可達105ºC。Vishay/Roederstein的MKP1848S金屬化聚丙稀薄膜電容器亦具備高峰值電流能力以及高RMS電流能力。上述電容器的電容範圍為2µF至100µF，電壓範圍500V至1000V，電容公差5%。

Vishay / Roederstein MKP1848 DC-Link電容器為高效能DC濾波器，具備低ESR、高峰值電流能力，以及高RMS電流能力。這些符合AEC-Q200標準的DC-Link電容器，提供1µF至400µF額定電容、5%電容公差，以及450V至1200V的額定電壓範圍。

IHLP電感器

Vishay IHLP®與IHLD®低矮設計、高電流電感器具備屏蔽式結構，頻率範圍最高可達5.0MHz。

輸入保護

Vishay / BC Components MKP339 X2干擾抑制薄膜電容器採用7.5mm至27.5mm引線間距，並且符合AEC-Q200標準。MKP339薄膜電容器提供0.001μF至4.7μF電容範圍，以及310V_AC 額定AC電壓。

Vishay / BC Components MKP338 6 Y2干擾抑制薄膜電容器採用7.5mm至27.5mm引線間距，並且符合AEC-Q200標準。MKP338 6 Y2薄膜電容器提供0.001μF至4.7μF電容範圍，以及300V_AC 額定AC電壓。

Vishay / BC Components VY1小型徑向陶瓷盤形電容器為AC額定安全電容器，具備470pf至4700pF電容及20%公差。

輸出保護與監控

Vishay Semiconductors VO1400AEF 1 Form A固態繼電器具備最大5Ω R_ON、60V負載電壓及100mA負載電流。VO1400AEF採用4-pin SOP封裝，並提供俐落、無反彈的開關。

Vishay VOR混合固態繼電器的設計提供高可靠性且無噪音的開關，可取代可靠性低且壽命短的傳統機械式繼電器。這些裝置提供高輸入輸出隔離、電流限制保護及低功耗。

Vishay Semiconductors VOx6xxA低輸入電流光耦合器可保護設備使用者免於觸電，並保護這些系統中的微處理器，避免因電壓突增而損壞。Vishay Semiconductors VOx6xxA低輸入電流光耦合器能以低輸入電流，提供高電流傳輸比率。小型DIP-4與SOP-4L封裝可提供5000V_RMS 電壓隔離，且漏電距離可大於或等於8mm。

Vishay Semiconductors VOM617A / VOM618A低輸入電流SOP-4光耦合器提供GaAs紅外線發光二極體，並以光學方式耦合至矽平面光電晶體偵測器。這些光電晶體輸出光耦合器採用小型SOP-4迷你扁平封裝，比DIP-4節省30%的PCB空間，並具備高電流傳輸比率、低耦合電容及高隔離電壓。此裝置額定110ºC，亦提供1mA (VOM618A)與5mA (VOM617A)的低輸入電流，最多具備九種電流傳輸比率(CTR)，從40%至600%，為設計師提供更大的彈性。

Vishay K3010P光耦合器包含光電晶體，並以光學方式耦合至6-pin封裝的砷化鎵紅外線發光二極體。K3010P提供0.2pF耦合電容與5至15mA的輸入靈敏度(IFT)。這些Vishay光耦合器適用於避免觸電的安全保護隔離電路。

Vishay Semiconductors VOM3052 / VOM3053 / VOM160非零交叉光閘流體光耦合器各包含一個GaAs或AlGaAs紅外線發光二極體(IRED)，並以光學方式耦合至光敏非零交叉TRIAC，採用業界標準小型SOP-4封裝。這些光耦合器提供光閘流體隔離低電壓邏輯，從120VAC、240VAC及380VAC線路到控制電阻、電感或電容負載，例如馬達、螺線管、高電流晶閘管或TRIAC及繼電器。

Vishay Semiconductors VOx6xxA低輸入電流光耦合器可保護設備使用者免於觸電，並保護這些系統中的微處理器，避免因電壓突增而損壞。Vishay Semiconductors VOx6xxA低輸入電流光耦合器能以低輸入電流，提供高電流傳輸比率。小型DIP-4與SOP-4L封裝可提供5000V_RMS 電壓隔離，且漏電距離可大於或等於8mm。

Vishay Semiconductors VOM617A / VOM618A低輸入電流SOP-4光耦合器提供GaAs紅外線發光二極體，並以光學方式耦合至矽平面光電晶體偵測器。這些光電晶體輸出光耦合器採用小型SOP-4迷你扁平封裝，比DIP-4節省30%的PCB空間，並具備高電流傳輸比率、低耦合電容及高隔離電壓。此裝置額定110ºC，亦提供1mA (VOM618A)與5mA (VOM617A)的低輸入電流，最多具備九種電流傳輸比率(CTR)，從40%至600%，為設計師提供更大的彈性。