IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

結果: 13
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
100庫存量
450預期2026/6/2
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
規格書
78庫存量
800預期2026/6/2
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
規格書
2,090庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
規格書
900庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
規格書
550庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263
規格書
76庫存量
800預期2026/2/16
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL
規格書
76庫存量
2,000預期2026/2/16
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL
規格書
80庫存量
2,000預期2026/2/16
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
規格書
100庫存量
450預期2026/3/23
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement