Tube 碳化矽MOSFET

結果: 585
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
288庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
270庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
268庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Central Semiconductor 碳化矽MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
規格書
27庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
規格書
799庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
1,292庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
428庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
規格書
2,424庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC


Diodes Incorporated 碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
規格書
35庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Diodes Incorporated 碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Coherent 碳化矽MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
規格書
139庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 18m 4th Gen TO-247
規格書
515庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 62m 4th Gen TO-247-4L
規格書
583庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
規格書
833庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
430庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
規格書
768庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
776庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
規格書
274庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 35 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE
規格書
192庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
規格書
402庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L
規格書
2,250庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
規格書
466庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
規格書
3,297庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET