Tube 碳化矽MOSFET

結果: 601
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
Wolfspeed 碳化矽MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
規格書
316庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
規格書
1,182庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
規格書
44庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 57 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
規格書
427庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
Microchip Technology 碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
規格書
98庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 65 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
442庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
規格書
產品評論
376庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

TO-247-4 EliteSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
規格書
181庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
規格書
產品評論
428庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
規格書
169庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
規格書
282庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
規格書
224庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement